Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
structure du transistor latéral — šoninio tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral transistor structure vok. Lateraltransistorstruktur, f rus. структура бокового транзистора, f; структура горизонтального транзистора, f pranc. structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure de transistor bipolaire et de laser à diode en puce unique — dvipolio tranzistoriaus ir lazerio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. translaser vok. Bipolartransistor und Laserdiode im einem Gehäuse, f; Translaser, m rus. структура биполярного транзистора и лазерного диода, f;… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor arrangement — tranzistoriaus sandara statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. transistor arrangement vok. Transistoranordnung, f rus. транзисторная структура, f pranc. structure de transistor, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor–transistor logic — (TTL) is a class of digital circuits built from bipolar junction transistors (BJT), and resistors. It is called transistor–transistor logic because both the logic gating function (e.g., AND) and the amplifying function are performed by… … Wikipedia
Transistor models — Transistors are complicated devices. In order to ensure the reliable operation of circuits employing transistors, it is necessary to scientifically model the physical phenomena observed in their operation using transistor models. There exists a… … Wikipedia
Transistor de unión bipolar — Transistor de unión bipolar. El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el… … Wikipedia Español
Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement … Wikipédia en Français
Transistor à effet de champ — Circuit électronique avec transistor à effet de champ Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d utiliser un champ électrique pour… … Wikipédia en Français
Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde — Photographie représentant deux MOSFET … Wikipédia en Français
